2026未來產業新材料博覽會（FINE）
第十屆國際碳材料產業博覽會(Carbontech 2026)
熱管理產業博覽會(iTherM 2026)
FINE 2026，以40,000平展區與超過300場科技與產業報告，圍繞AI數據中心、具身智能、低空經濟、航空航天、智能汽車等產業的五大共性關鍵需求（先進半導體、先進電池、輕量化、低碳可持續、熱管理），呈現從終端、部件、材料、技術裝備到前沿科技的全鏈條創新成果，打造一站式交流、合作與采購平臺。
熱烈歡迎【杭州富加鎵業科技有限公司】亮相FINE2026展，展位號N1C29，6月10-12日，上海新國際博覽中心（N1-N4），歡迎洽談合作與指導。
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一 企業介紹
杭州富加鎵業科技有限公司成立于2019年12月31日，公司以“讓世界用上好材料”為愿景，開展超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產業化工作，核心產品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法(VB法)及導模法(EFG法)晶體生長裝備等，為材料研制提供系統性解決方案，加速超寬禁帶氧化鎵產業全鏈路貫通，推進氧化鎵材料在功率器件、微波射頻器件及光電探測等領域應用。公司在氧化鎵領域發展方面取得的系列重要成果已獲CCTV1、CCTV2、《人民日報》、新華網、《中國證券報》、澎湃新聞等知名媒體專題宣傳報道。
二 產品介紹
（1）氧化鎵襯底
利用EFG或VB法生長的半絕緣型及導電型Ga?O?晶體，加工得到2-12英寸氧化鎵襯底。
（2）氧化鎵外延（MOCVD）
基于金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)，在導電型Ga?O?襯底上生長Ga?O?同質外延膜。基于金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)，在導電型Ga?O?襯底上生長Ga?O?同質外延膜。
（3）氧化鎵外延（MBE）
基于分子束外延(MBE)，在半絕緣型Ga?O?(010)襯底上生長N型Ga?O?同質外延薄膜。
（4）氧化鎵流片
基于富加的MOCVD同質外延片，完成6英寸晶圓的千伏安培級SBD器件流片。
（5）氧化鎵EFG設備
本設備專門針對EFG法生長β- Ga?O?晶體開發，采用電磁感應加熱方式，具有真空置換氣氛、提拉控制、精確稱重、數據自動記錄等功能，可升級為“一鍵長晶”系統。
（6）氧化鎵VB設備
本設備專門針對VB法生長β- Ga?O?晶體，通過模擬與實驗耦合迭代優化，集成雙模精準測控溫，經多輪實驗驗證穩定性，可支持2-6英寸Ga?O?晶體生長，適配科研與量產場景。
三 參展聯系
李經理
13373875075（微信同號）
luna@polydt.com
