芯聯(lián)集成發(fā)布3300V SiC MOSFET，并已送樣驗證

隨著生成式AI快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心算力規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，供電效率與散熱壓力成為行業(yè)關(guān)注的核心問題。在此背景下，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件，憑借高耐壓、高頻率、低損耗等優(yōu)勢，正加速進(jìn)入AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、電網(wǎng)及新能源等關(guān)鍵領(lǐng)域。

近日，芯聯(lián)集成宣布正式推出3300V SiC MOSFET產(chǎn)品，并已向核心客戶送樣驗證。該產(chǎn)品主要面向固態(tài)變壓器（SST）等高壓、高功率密度、高可靠性應(yīng)用場景，被認(rèn)為是公司在高壓寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要突破，也填補(bǔ)了國內(nèi)高壓SiC器件在固態(tài)變壓器核心功率級應(yīng)用中的部分空白。

瞄準(zhǔn)固態(tài)變壓器，高壓SiC器件實現(xiàn)系統(tǒng)降本

據(jù)了解，該產(chǎn)品基于芯聯(lián)集成8英寸碳化硅產(chǎn)線自主開發(fā)的高壓平面柵SiC MOSFET技術(shù)打造，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了更優(yōu)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷性能，在導(dǎo)通損耗和開關(guān)性能之間取得較好平衡。

對于固態(tài)變壓器而言，更高耐壓等級的器件意味著系統(tǒng)架構(gòu)能夠得到進(jìn)一步簡化。以10kV中壓固態(tài)變壓器前端應(yīng)用為例，相較于傳統(tǒng)1200V方案，3300V SiC MOSFET可將母線電壓提升至1800V至2200V區(qū)間，同時大幅減少級聯(lián)數(shù)量和功率單元數(shù)量。

具體來看：

• 級聯(lián)數(shù)量減少約60%；
• 功率單元及MOSFET總用量減少約60%；
• 外圍器件數(shù)量減少約70%；
• PCB設(shè)計進(jìn)一步簡化；
• 控制與裝配成本同步下降。

綜合測算，采用3300V方案后，系統(tǒng)級BOM成本有望降低20%至35%，有助于推動固態(tài)變壓器向更高開關(guān)頻率、更小體積以及更高轉(zhuǎn)換效率方向發(fā)展。

為了完善相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈布局，芯聯(lián)集成還計劃推出與3300V SiC MOSFET配套的高頻、高耐壓、高功率密度磁性器件解決方案。

AI數(shù)據(jù)中心正在推動高壓供電架構(gòu)升級

近年來，AI訓(xùn)練與推理需求快速增長，單機(jī)柜功率密度不斷攀升，傳統(tǒng)供電架構(gòu)面臨效率和能耗挑戰(zhàn)。

今年以來，AI數(shù)據(jù)中心向高壓直流供電（HVDC）演進(jìn)已成為行業(yè)重要趨勢。隨著800V HVDC架構(gòu)逐步受到關(guān)注，固態(tài)變壓器被認(rèn)為是未來高效供配電系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備之一。

固態(tài)變壓器利用高頻電力電子器件替代傳統(tǒng)工頻變壓器，具備體積小、效率高、可雙向能量流動等特點，不僅適用于AI數(shù)據(jù)中心，也被廣泛看好在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源并網(wǎng)以及儲能系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用前景。

而作為固態(tài)變壓器核心開關(guān)器件，高壓碳化硅MOSFET的重要性正不斷提升。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，隨著固態(tài)變壓器逐步進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，3300V及以上電壓等級SiC器件有望迎來更加明確的市場需求。

躋身全球前五，芯聯(lián)集成持續(xù)加碼碳化硅布局

在碳化硅器件領(lǐng)域，芯聯(lián)集成近年來保持較快發(fā)展。

根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的2025年全球碳化硅產(chǎn)業(yè)排名，芯聯(lián)集成已成為中國排名第一的SiC器件廠商，并進(jìn)入全球前五陣營。

目前，公司已完成650V至3300V全電壓等級SiC MOSFET產(chǎn)品布局，新一代SiC G2.0工藝平臺在能效和可靠性方面進(jìn)一步提升，8英寸碳化硅產(chǎn)線也已實現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。

從應(yīng)用端來看，隨著碳化硅器件成本持續(xù)下降，其應(yīng)用場景正從新能源汽車主驅(qū)逆變器逐步向車載充電機(jī)（OBC）、熱管理系統(tǒng)、主動懸架等領(lǐng)域擴(kuò)展，并進(jìn)一步進(jìn)入服務(wù)器電源、儲能系統(tǒng)、工業(yè)電源以及空調(diào)等非車載市場。

聚焦8英寸SiC產(chǎn)線，推動高附加值業(yè)務(wù)增長

在此前舉行的業(yè)績說明會上，芯聯(lián)集成管理層表示，未來兩年公司將重點布局8英寸碳化硅產(chǎn)線、模擬IC與MCU相關(guān)12英寸產(chǎn)線以及功率模塊封裝業(yè)務(wù)。

產(chǎn)能方面，2025年公司已基本完成前期重點產(chǎn)能建設(shè)，包括：

• 8英寸硅基晶圓產(chǎn)線；
• 12英寸硅基晶圓產(chǎn)線；
• 6/8英寸碳化硅產(chǎn)線。

全年晶圓產(chǎn)量達(dá)到251.27萬片（折合8英寸），同比增長24.68%。

與此同時，公司預(yù)計隨著碳化硅、模擬IC及功率模塊等高附加值業(yè)務(wù)占比持續(xù)提升，以及前期設(shè)備折舊壓力逐步減輕，經(jīng)營質(zhì)量有望進(jìn)一步改善。財報顯示，2025年公司實現(xiàn)營業(yè)收入81.8億元，歸母凈利潤虧損收窄至5.95億元。

從產(chǎn)業(yè)趨勢來看，AI數(shù)據(jù)中心、高壓直流供電以及固態(tài)變壓器的發(fā)展，正在為高壓碳化硅器件打開新的增長空間。此次3300V SiC MOSFET的推出，不僅反映出國內(nèi)廠商在高壓寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)展，也顯示出碳化硅產(chǎn)業(yè)正逐步從新能源汽車市場向更廣闊的能源與算力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域延伸。