上海微電子公開“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備”的發(fā)明專利

9月10日，上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司公開了一項(xiàng)名為“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備”的發(fā)明專利。該專利的申請日期為2023年3月9日，涵蓋了極紫外輻射發(fā)生裝置及其在光刻設(shè)備中的應(yīng)用。

根據(jù)公開信息，這項(xiàng)專利申請?zhí)枮镃N202310226636.7，發(fā)明人為王偉偉、付輝、盧嘉璽、張洪博、蔡萬寵、張子辰。

該專利提供了一種極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備，極紫外輻射發(fā)生裝置包括腔體；靶材發(fā)生器；激光發(fā)生器，用于向靶材發(fā)射激光并產(chǎn)生帶電粒子及極紫外光；設(shè)于腔體內(nèi)的收集器鏡，用于沿收集器鏡的光軸收集并反射極紫外光；設(shè)于腔體內(nèi)的若干電極板，相鄰電極板之間形成有電場，利用電場約束帶電粒子及利用電極板收集不同極性的帶電粒子；以及氣控部件，用于產(chǎn)生氫自由基，其經(jīng)過電極板與帶電粒子反應(yīng)形成氣體并排出。

極紫外光刻技術(shù)（EUV lithography）是一種使用波長為13.5納米的極紫外光作為光源的下一代光刻技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中，是面向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的主流光刻技術(shù)。

由于極紫外光被幾乎所有光學(xué)材料強(qiáng)烈吸收，因此EUV光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)必須采用全反射光學(xué)系統(tǒng)。此外，極紫外光刻技術(shù)的關(guān)鍵在于高功率激光擊打金屬錫，產(chǎn)生等離子體，從而輻射出極紫外光。不過，如果采用激光轟擊錫滴產(chǎn)生極紫外光，被轟擊所產(chǎn)生的錫碎屑(帶電粒子)向周圍擴(kuò)散，極易污染收集器鏡，嚴(yán)重影響收集器鏡的使用壽命。

而上海微電子的發(fā)明的目的在于提供一種極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備，用于高效且簡便地收集帶電粒子以提高收集器鏡的使用壽命。