長鑫存儲此時加速擴產，背后是全球AI基礎設施投資引發的存儲芯片緊缺。
據路透社最新報道，中國DRAM龍頭長鑫存儲（CXMT）正考慮在北京經濟技術開發區（亦莊）建設第二座存儲芯片工廠，并已與地方政府支持的科技制造平臺展開早期融資洽談。在全球人工智能基礎設施投資驅動芯片緊缺的背景下，這家剛剛完成86億美元IPO的中國最大芯片制造商，正以超出市場預期的速度推進產能擴張。
據知情人士透露，新規劃的12英寸晶圓廠將選址亦莊——即長鑫存儲現有北京DRAM晶圓廠所在地，距北京市中心東南約20公里。公司正在與北京經開區管理機構洽談，同時多家國有科技企業也表示出參與融資的興趣。
消息人士強調，談判尚處早期階段，融資方案的規模與結構均可能變化，資金究竟由經開區行政機構直接出資還是通過其投資工具注入，目前仍未確定。長鑫存儲與北京市政府均未回應置評請求。
籌劃遠期60萬片月產能藍圖
長鑫存儲目前的產能版圖已經頗具規模。知情人士稱，公司在合肥運營著兩座12英寸DRAM晶圓廠，在北京亦莊運營一座，每座工廠月產能約為10萬片晶圓，合計約30萬片。
根據長鑫科技（688825.SH）公開的擴產路線圖：2026年底月產能預計提升至約35萬片，接近美光同期38.5萬片的預估產能；2027年隨著上海臨港新廠建設推進，月產能目標約42萬片；2028年底沖擊月產50萬片目標，全球DRAM產能占比有望提升至17%左右；遠期目標實現每月60萬片晶圓產能，按當前節奏有望在2030年前后整體規模超過美光科技。
路透社此前報道，長鑫存儲正在上海和合肥建設新工廠，并與其他地區的有關部門就另一處廠址進行磋商。這些項目全面投產后，其產能有望翻番，達到每月60萬片以上。北京亦莊第二座的謀劃，正是這張全國產能大網中的最新一塊拼圖。
“合肥模式”走向全國
長鑫存儲的擴產底氣，來自于7月完成的史詩級IPO。
根據公開披露，長鑫存儲首次公開發行股票并在科創板上市（IPO）的實際募資規模最終達到約579.2億元人民幣（約合86億美元），超越了最初擬募資的295億元人民幣計劃。該項目于2026年7月16日啟動申購，并于2026年7月27日正式在上海證券交易所科創板掛牌上市，成為2026年亞洲及A股市場規模最大的IPO之一。
募集資金主要投向三大項目：存儲器晶圓制造量產線技術升級改造項目（75億元）、DRAM存儲器技術升級項目（180億元）、動態隨機存取存儲器前瞻技術研究與開發項目（90億元），項目總投資額達345億元。
上市之后，長鑫科技股價已上漲13%，截至8月3日收盤總市值達到約3.68萬億元。
長鑫存儲的崛起與“合肥模式”密切相關——在這種模式下，安徽省合肥市利用國家資金培育戰略科技公司。據直接了解情況的消息人士透露，北京和上海也向長鑫存儲提供了資金和其他支持，因為兩市都希望在公司的擴張中獲得更大的經濟與戰略利益份額。
工商信息顯示，長鑫存儲位于北京的晶圓廠由長鑫集電（即長鑫吉電）運營，該公司成立于2020年，獲得了亦莊開發區國資投資機構亦莊資本及其附屬公司北京亦莊科技的資金支持。7月30日，長鑫存儲技術有限公司再次完成工商變更，注冊資本由約238.9億元增至約313.9億元，單次增資75億元，增幅約31%——時間卡在IPO后僅三天，被視為上市募資迅速下沉到制造實體的明確信號。
全球DRAM“鐵三角”格局松動
長鑫存儲此時加速擴產，背后是全球AI基礎設施投資引發的存儲芯片緊缺。
Counterpoint Research數據顯示，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭第一季度合計占據全球DRAM市場近90%的份額。長鑫存儲雖已是全球第四大DRAM生產商，但規模仍遠小于這三家頭部企業。
AI大模型的訓練與推理需要海量高帶寬內存（HBM），供需失衡之下，存儲價格持續走高。據路透社7月報道，在中國市場，長鑫存儲日益增長的主導地位使其能夠提高對其客戶的價格。市場消息顯示，長鑫存儲已與騰訊簽署價值超200億元、與字節跳動簽署五年超70億美元的長期供應協議，現有產能“十分吃緊”，公司當前重心優先保障本土供應。
在高端產品線上，長鑫科技已實現HBM2量產，并計劃調整合肥和北京產線的部分產能，形成每月6萬片的HBM晶圓產能；上海超級工廠已于2026年3月啟動建設，主攻HBM3等高端內存產品，配套HBM封測廠預計2026年底投產。LPDDR6產品也已接近研發驗證尾聲，有望2026年下半年發布并實現量產導入。
行業分析人士指出，更值得資本市場關注的是擴產周期的持續性：如果北京、上海及合肥等地的擴產項目陸續落地，國內DRAM產業鏈的設備、材料、零部件及廠務工程需求，都將獲得新的增長空間。一座尖端DRAM晶圓廠通常耗資超100億美元，對應的資本開支周期可能長達數年。
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