SK海力士與閃迪發(fā)布HBF首個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范

• 聯(lián)盟成立6個(gè)月后發(fā)布HBF首個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，谷歌與Tenstorrent參與，生態(tài)體系進(jìn)一步擴(kuò)大
• SK海力士副社長(zhǎng)金千成、姜郁成于峰會(huì)開幕日發(fā)表主題演講，提出基于“分層內(nèi)存”的下一代AI基礎(chǔ)設(shè)施解決方案
• 與谷歌DeepMind、閃迪舉行圓桌論壇，圍繞“借助HBF突破內(nèi)存墻”展開探討
• 展臺(tái)首次公開第十代375層4D NAND閃存，其性能功耗比提升2.5倍
• “通過HBF拓展內(nèi)存與存儲(chǔ)邊界，助力構(gòu)建提高系統(tǒng)整體效率的新架構(gòu)”

韓國首爾，2026年8月4日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）4日宣布，公司聯(lián)手閃迪（Sandisk）共同發(fā)布下一代存儲(chǔ)技術(shù)高帶寬閃存（HBF，High Bandwidth Flash）的首個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

此次發(fā)布正值當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月4日至6日在美國加利福尼亞州圣克拉拉會(huì)展中心舉辦的“閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit) 2026”（以下簡(jiǎn)稱“FMS 2026”）開幕。公司計(jì)劃在峰會(huì)期間發(fā)表主題演講并參與圓桌論壇，介紹HBF作為破解AI時(shí)代內(nèi)存瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。

HBF是介于HBM和固態(tài)硬盤之間的新型存儲(chǔ)層級(jí)，不僅具備與HBM類似的高速數(shù)據(jù)傳輸能力，還可基于NAND閃存大幅提升容量。在AI推理普及、數(shù)據(jù)處理需求激增的背景下，其高帶寬與可擴(kuò)展容量特性優(yōu)勢(shì)備受矚目。

此次發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，是繼SK海力士去年8月與閃迪啟動(dòng)HBF標(biāo)準(zhǔn)化合作，并于今年2月成立聯(lián)盟后，歷時(shí)約6個(gè)月推出的首項(xiàng)成果。該規(guī)范定義了兩種容量配置，分別采用8層和16層NAND芯片堆疊，最高支持512GB容量；并按三個(gè)等級(jí)（Grade 1~3）設(shè)定帶寬標(biāo)準(zhǔn)，數(shù)據(jù)傳輸能力覆蓋約0.4TB/s至3.0TB/s。

值得關(guān)注的是，HBF與處理器之間采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)UCIe*互聯(lián)，為HBF與GPU、CPU等不同類型的處理器靈活連接奠定了基礎(chǔ)。

* UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）：一種用于不同半導(dǎo)體芯粒之間高速互聯(lián)的開放式標(biāo)準(zhǔn)接口規(guī)范

此外，該規(guī)范涵蓋互聯(lián)接口與電氣特性、HBF Die堆疊工藝的可靠性與封裝指南，以及數(shù)據(jù)讀寫軟件使用指南等內(nèi)容。

該規(guī)范由全球最大的開放式數(shù)據(jù)中心技術(shù)合作組織OCP（Open Compute Project）正式發(fā)布，成為行業(yè)通用開放標(biāo)準(zhǔn)，而非企業(yè)私有標(biāo)準(zhǔn)。

以此為契機(jī)，公司計(jì)劃加快HBF在AI存儲(chǔ)市場(chǎng)的規(guī)模化落地，并加速構(gòu)建生態(tài)體系。 目前，HBF聯(lián)盟已匯聚谷歌與Tenstorrent。未來，公司將繼續(xù)依托開放合作，不斷擴(kuò)大生態(tài)體系，同時(shí)提升技術(shù)成熟度與市場(chǎng)接受度。

FMS 2026開幕首日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月4日），SK海力士解決方案開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)金千成與下一代產(chǎn)品規(guī)劃擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)姜郁成聯(lián)合發(fā)表演講，主題為“代理式人工智能時(shí)代下，基于階層型存儲(chǔ)器的高效AI基礎(chǔ)設(shè)施構(gòu)建（Orchestrating Efficient AI Infrastructure through Tiered Memory in the Era of Agentic AI）”。

隨著代理式AI*快速商業(yè)化，待處理數(shù)據(jù)規(guī)模激增，對(duì)處理速度和效率的要求也不斷提高。在此背景下，單一存儲(chǔ)器產(chǎn)品已難以滿足需求，因此需要采用“分層內(nèi)存（Tiered Memory）”架構(gòu)，整合特性互補(bǔ)的多種存儲(chǔ)器并協(xié)同優(yōu)化。兩位演講者將重點(diǎn)闡述基于分層內(nèi)存的下一代架構(gòu)的必要性及發(fā)展方向。

* 代理式AI：能夠在脫離人工干預(yù)的情況下，自主設(shè)定目標(biāo)、制定計(jì)劃并執(zhí)行任務(wù)的高級(jí)人工智能系統(tǒng)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月6日，SK海力士Solution AT擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)林義哲、谷歌DeepMind研究員Xiaoyu Ma、閃迪副社長(zhǎng)Rajeev Nagabhirava將展開圓桌討論。這場(chǎng)匯聚全球內(nèi)存、存儲(chǔ)與AI領(lǐng)域三大企業(yè)代表的論壇，主題為“借助HBF突破內(nèi)存墻（Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash）”。三位嘉賓將聚焦AI基礎(chǔ)設(shè)施中存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的變革，重點(diǎn)探討HBF的作用與未來潛力。

與此同時(shí)，SK海力士將在FMS 2026設(shè)立展臺(tái)，展示戰(zhàn)略合作專區(qū)、下一代存儲(chǔ)技術(shù)及Tech Session等內(nèi)容。

尤其值得注意的是，本次展會(huì)公司將首次公開目前開發(fā)進(jìn)展順利的第十代（V10）375層4D NAND閃存晶圓和產(chǎn)品。較上一代，其性能功耗比提升2.5倍，特別適用于對(duì)性能與能效要求極高的AI基礎(chǔ)設(shè)施環(huán)境，例如數(shù)據(jù)中心。公司計(jì)劃于明年初啟動(dòng)基于此NAND閃存的高性能、大容量企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（eSSD）量產(chǎn)，進(jìn)一步鞏固其在AI時(shí)代NAND閃存市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

此外，公司還將展示面向移動(dòng)終端、PC、汽車和機(jī)器人等多個(gè)領(lǐng)域的系列產(chǎn)品，全面呈現(xiàn)SK海力士引領(lǐng)AI時(shí)代的存儲(chǔ)器技術(shù)優(yōu)勢(shì)以及客戶合作成果。

金千成副社長(zhǎng)表示：“AI應(yīng)用的快速普及，正推動(dòng)整個(gè)數(shù)據(jù)處理架構(gòu)迎來重構(gòu)的關(guān)鍵期。通過HBF，公司將突破內(nèi)存與存儲(chǔ)的邊界，助力構(gòu)建提升系統(tǒng)整體效率的新架構(gòu)。”