Diodes公司的碳化硅肖特基二極管提供領(lǐng)先業(yè)界的FoM及系統(tǒng)效率

【2025 年 4 月 29 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合，推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管。DSCxxA065LP 系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源開關(guān)產(chǎn)品應(yīng)用而設(shè)計，例如直流對直流、交流轉(zhuǎn)直流、可再生能源、數(shù)據(jù)中心 (特別是處理大量人工智能運(yùn)算的數(shù)據(jù)中心) ，以及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等。

DSCxxA065LP 系列的品質(zhì)因數(shù) (FoM = Q_C × V_F) 為業(yè)界極佳，歸功于以下兩大特點：

• 無反向恢復(fù)電流和低電容電荷 (Q_C)，因此開關(guān)損耗可忽略不計；
• 低正向電壓 (V_F) 可大幅降低傳導(dǎo)損耗，提升整體功率效率。

以上兩個特性使得該系列產(chǎn)品非常適合用于高速開關(guān)電路。

DSCxxA065LP 系列的反向漏電流 (I_R) 也低于業(yè)界其他產(chǎn)品，最大僅為 20µA。這能大幅降低熱耗散和傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性以及可靠度，相較于硅基肖特基器件，這些優(yōu)勢更加明顯。降低熱耗散也能減少冷卻成本和運(yùn)營支出。

小巧輕薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm) 表面貼裝封裝底部有大面積散熱片，可降低熱阻。T?DFN8080-4 占用更少的電路板面積，但具有更大的散熱片，可完美替代 TO252 (DPAK)。這兩個特點有助于提高電路設(shè)計的功率密度，縮小整體尺寸，降低冷卻預(yù)算。

DSC04A065LP (4A)、DSC06A065LP (6A)、DSC08A065LP (8A)、DSC10A065LP (10A)及 DSC12A065LP (12A)的訂購單位為 2,500 件。

關(guān)于 Diodes Incorporated

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾小型股 600 指數(shù)和羅素 3000 指數(shù)成員公司，為汽車、工業(yè)、運(yùn)算、消費性電子及通訊市場的全球公司提供高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品。我們擁有豐富的產(chǎn)品組合以滿足客戶需求，內(nèi)容包括模擬與分立電源解決方案以及先進(jìn)的封裝技術(shù)。我們廣泛提供特殊應(yīng)用產(chǎn)品與解決方案導(dǎo)向銷售，加上全球范圍運(yùn)營的工程、測試、制造與客戶服務(wù)，使我們成為高產(chǎn)量、高成長的市場中成為優(yōu)質(zhì)供貨商。詳細(xì)信息請參閱 www.diodes.com。

所有其他商標(biāo)均為其各自擁有者所有。

© 2025 Diodes Incorporated。保留所有權(quán)利。