在西班牙巴塞羅那舉行的Mobile World Congress 2026上，法國工程襯底企業Soitec與南洋理工大學（NTU Singapore）聯合發布了為期四年的6G連接技術研究成果。隨著5G規模化應用，產業正提前布局下一代無線通信關鍵材料與器件技術。
雙方合作產出三篇技術論文，重點展示了基于Soitec外延晶圓的氮化鎵（GaN）器件性能突破。研究聚焦6G潛在應用的FR3及毫米波頻段，為未來高頻高速通信提供材料與器件層面的技術支撐。
6G時代對器件提出更高功率密度、更大帶寬與更優能效要求，尤其在智能手機與可穿戴設備等小型化終端中，低電壓、高效率運行成為關鍵挑戰。傳統射頻前端方案面臨性能與集成度雙重壓力。
在此背景下，研究顯示GaN-on-Si技術有望與砷化鎵（GaAs）技術形成互補，應用于新一代射頻前端模塊。其核心價值在于兼顧高頻性能與硅平臺的規模化、成本與集成優勢。
依托Soitec比利時團隊開發的專用GaN-on-Si外延襯底，聯合團隊在低電壓條件下實現創紀錄功率附加效率（PAE），滿足手機電池供電需求，同時在FR3與毫米波頻段展現優異頻率性能。
其中，NTU研究人員在FR3頻段實現超過50%的PAE水平，驗證了該襯底在高集成低功耗射頻解決方案中的可行性。這一指標對于未來高頻通信終端具有重要參考意義。
相較傳統GaAs方案，GaN-on-Si可支持更高輸出功率和更優熱管理能力，并有助于降低系統復雜度。對于正籌備6G升級的智能手機產業而言，這一技術路徑具備現實吸引力。
相關成果不僅面向消費終端，也為6G基站的小型化與高能效設計提供技術儲備。整體來看，此次研究有助于加速全球GaN產業生態在基礎設施與終端市場的成熟進程。
