DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器SDRAM）
關于內(nèi)存方面知識，大部分人、包括我自己也不是很懂，希望此篇文章能起到點作用，做硬件的就得把相關專業(yè)知識學牢了，尤其是專業(yè)術語。
下面是DDR4知識做一次分享，之所以選擇介紹DDR4，是因為現(xiàn)在DDR5的應用還較少，而DDR4的使用普遍，當然后面還會考慮介紹DDR3，下文中就有一部分是DDR4跟DDR3的對比，我們先把DDR4的硬件相關知識給吃透了。有錯誤或者更深了解的可以留言指正。
首先我們來了解下DDR4的新特性：
一：性能大幅提升：
從DDR3的1600Mbps提升到DDR4的3200Mbps。理論速率可達到2倍。
二：低能耗，高能效：
采用先進工藝技術，可以在提高性能、降低成本同時減少能耗。
1.2V POD：采用低電壓供電和偽開漏接口，可以降低功耗。
SDRAM |
3.3V |
DDR |
2.5V |
DDR2 |
1.8V |
DDR3 |
1.5V |
DDR4 |
1.2V |
DDR5 |
1.1V |
DDR3接口標準,短截線串聯(lián)端接邏輯(Stub Series Termination Logic,SSTL)和DDR4接口標準,“偽開漏”(PseudoOpen Drain,POD)進行了詳細研究和異同比較。
POD 作為 DDR4 新的驅動標準，最大的區(qū)別在于接收端的終端電壓等于VDDQ；而 DDR3 所采用的 SSTL 接收端的終端電壓為 VDDQ/2。
偽開漏（POD）I/O緩沖
DDR4的I/O緩沖已經(jīng)從DDR3的推挽（push-pull）改成了偽開漏（pseudo open drain）模式；POD輸出高時，接收端跟發(fā)送端兩端電壓是一樣的，故而沒有電流流動，只有當輸出低的時候才會損耗能量，故可以做到減低開關電流，如若再使能DBI功能，可以更進一步節(jié)省開關電流，從而減低串擾，最終獲得更好的眼圖。
三：可靠性顯著提高
增加寫操作循環(huán)冗余檢驗（Write CRC）可幫助識別多位故障。
增加命令（CMD）、地址（ADD）通路的奇偶校驗（Parity）發(fā)生故障。
