HBM KGSD 測試技術與國產DRAM測試設備廠商全景深度解析

芯科技圈近期學習來自東吳證券2026最新發布的關于存儲測試設備的調研報告:《存儲測試機專題：AI 算力催生 HBM 帶動測試機新需求，國產設備加速突破》。

因AI 算力帶動 HBM 產業爆發，報告深度拆解存儲測試設備市場格局、HBM 專屬 KGSD 測試技術門檻、海內外廠商技術差距與國產替代成長空間，同時測算設備市場規模與國內企業成長邏輯和存儲龍頭財報與設備廠商產品手冊。

下面進入報告正文分享環節：

一、 AI 算力拉動存儲產業鏈高景氣，HBM 成為核心增量載體

AI 服務器出貨 2023-2025 年近乎翻倍，2026 年預計達 275 萬臺，高端 AI 整機內存 BOM 占比從 GB300 的 9.36% 暴漲至 VR200 的 25%，漲幅 435%；

存儲現貨價格大幅上行，DDR4（8Gb）自 2024 年底至 2026 年 6 月漲幅超 17 倍，DDR5 漲幅約 4.9 倍。

產能維度，2026Q1 三星、SK 海力士、美光 DRAM 月產能分別為 64 萬、56.5 萬、34.5 萬片，長鑫僅 29 萬片，全球市占率僅 8%，擴產空間巨大。

技術迭代層面，HBM4 單堆棧最高 48GB、帶寬 2.8TB/s、引腳速率 11.7Gbps，海外廠商 2026 年陸續量產，長鑫規劃 2027 年落地 HBM3e/HBM3E/HBM4，采用1024bit/2048bit 超寬并行總線，是傳統 DDR5 64bit 位寬的數十倍，天然帶來全新測試需求。

歡迎加入知識星球獲取完整報告學習，探討。

二、 HBM 重構存儲測試流程，KGSD 堆疊測試成為新增核心工序

傳統 DRAM 僅需 CP 晶圓測試、FT 封裝測試兩道主流程，測試道數僅 3-4 道；HBM 因 TSV 多層堆疊架構，新增 Logic 基底裸片測試、TSV 互連開路短路檢測、KGSD 堆疊整體全功能驗證，完整測試流程提升至 15 道以上，對應測試設備需求為普通 DRAM 的 5-6 倍。

技術層面，HBM KGSD 測試需同時覆蓋 1000+PHY 高速通道，單顆堆疊并行 I/O 規模遠超 DDR，測試機時序精度要求達到 ±45ps（愛德萬 T5503HS2），低電壓下需穩定輸出大電流抑制 IR 壓降，還需配套大容量 ALPG 向量發生器完成多層堆疊故障定位；

DRAM CP 以中低速篩壞為主，FT 做高速分檔，但 HBM KGSD 屬于晶圓級高速綜合測試，兼具 CP 探針臺形態與 FT 高速性能要求，設備硬件規格大幅抬升。同時報告區分 DRAM 與 NAND 測試差異，DRAM 需 CP1 / 修復驗證 CP2 / 多檔位 FT / 老化四道工序，單萬片測試設備投入約 1.7 億元，NAND 僅 0.4 億元，HBM 進一步拉高 DRAM 測試設備資本開支。

三、全球存儲測試機寡頭壟斷，國產化率僅 8%-10% 替代機會大

2025 年全球存儲 ATE 市場愛德萬市占 61%、泰瑞達 24%，兩家合計壟斷 85% 份額；對比模擬、分立器件測試機國產化率超 85%，存儲測試僅 8%-10%，是半導體設備自主可控關鍵短板。

四、國產廠商技術路線與成長邏輯、行業風險梳理

文章梳理國內設備突圍路徑：復刻愛德萬協同存儲廠迭代模式，深度綁定國內長鑫、長江存儲，同步跟進 DDR5、HBM 迭代積累測試數據庫；

• 長川科技測試設備 2025 年收入占比達 61%，業績持續高增；

• 精智達覆蓋晶圓測試、老化修復、高速 FT 全鏈條；

• 聯訊重點攻堅 HBM 專用 KGSD 分選設備；

  
  

行業需警惕三大風險：AI 算力資本開支不及導致存儲擴產放緩、HBM 高速時序 / 高并行設備研發驗證周期長、海內外廠商價格戰壓縮設備毛利率。

文章結論

本報告從 AI 算力需求底層邏輯切入，結合海量存儲價格、產能、HBM 迭代量化參數，清晰拆解 3D 堆疊 HBM 對 KGSD 等全新測試工序的硬性要求，明確高并行通道、皮秒級時序、穩定大電流供電三大設備核心技術門檻。

對比海內外存儲測試機市場寡頭格局與國產化極低現狀，完整梳理國內頭部設備企業產品布局、技術進展與中長期成長空間，同時測算國產替代市場規模，為半導體設備投資、存儲封測產線設備采購提供量化技術與產業參考。

感興趣的歡迎加入星球獲取50頁完整報告學習，海量專業報告持續更新，掃碼加入讓芯科技圈成為您身邊的半導體專家庫！

免責聲明：內容基于網絡公開報告，僅供學習交流。版權歸原機構所有，侵權請聯系刪除。

半導體基礎從入門到精通寶典-寶藏級（滿滿干貨 建議收藏）