CoWoS封裝產(chǎn)能售罄，臺(tái)積電選擇“類EMIB”技術(shù)對(duì)標(biāo)英特爾，先進(jìn)封裝市場或?qū)囊患要?dú)大走向雙雄并立。

7月30日，外媒The Information援引知情人士報(bào)道，臺(tái)積電正在推進(jìn)一款全新先進(jìn)芯片封裝技術(shù)的研發(fā)工作，技術(shù)路線對(duì)標(biāo)英特爾已實(shí)現(xiàn)商用的嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）封裝方案，企業(yè)內(nèi)部工程師將該項(xiàng)目簡稱為"類EMIB"技術(shù)。

（The Information報(bào)道標(biāo)題）

據(jù)TrendForce報(bào)道，臺(tái)積電正與臺(tái)灣IC載板廠商景碩（Kinsus Interconnect Technology）合作開發(fā)該技術(shù)，景碩將協(xié)助臺(tái)積電完成從開發(fā)、擴(kuò)展至量產(chǎn)的完整流程，負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)并制造承載硅橋、連接上方芯片零部件的基板。

臺(tái)積電此舉的直接動(dòng)因，是其主導(dǎo)多年的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）封裝產(chǎn)能已觸及天花板。在7月16日的財(cái)報(bào)電話會(huì)上，臺(tái)積電CEO魏哲家坦承，公司封裝產(chǎn)能"緊張到正在限制客戶增長"。

據(jù)市場分析，CoWoS產(chǎn)能目前已售罄至2026年及2027年，交貨期長達(dá)52至78周；臺(tái)積電正將月產(chǎn)能從2024年底的約35000片晶圓提升至2026年底的130000片，但即便如此，2026年的供需缺口仍約20%，即每5個(gè)訂單中就有1個(gè)無法按時(shí)交付。

產(chǎn)能缺口為英特爾打開了窗口。據(jù)多家外媒報(bào)道，谷歌已向英特爾下單，計(jì)劃2028年前委托其封裝超過300萬顆自研TPU；亞馬遜AWS的Trainium3加速器也將采用英特爾EMIB-T平臺(tái)；聯(lián)發(fā)科更是在2026年5月宣布，將采用雙封裝策略——訓(xùn)練類AI芯片繼續(xù)使用臺(tái)積電CoWoS，推理類芯片則采用英特爾EMIB以支持更大封裝尺寸。

EMIB技術(shù)解析

EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多芯片互連橋接）是英特爾推出的先進(jìn)封裝技術(shù)，自2017年起進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)，應(yīng)用于服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)和HPC領(lǐng)域。

與傳統(tǒng)CoWoS-S使用完整硅中介層覆蓋整個(gè)封裝區(qū)域不同，EMIB僅在兩顆芯片需要高速通信的邊緣位置嵌入微型硅橋，其余區(qū)域使用有機(jī)基板。這種設(shè)計(jì)的核心優(yōu)勢在于省去了大面積硅中介層的成本和面積開銷。

（EMIB結(jié)構(gòu)示意圖）

英特爾官方技術(shù)文檔指出，EMIB采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝組裝流程，唯一區(qū)別在于基板制造工藝。橋接芯片被置于基板腔體內(nèi)，以粘合劑固定，再添加介電層和金屬堆積層。關(guān)鍵設(shè)計(jì)在于：僅在橋接區(qū)域需要緊密微凸點(diǎn)間距，裸片核心區(qū)域可保持寬松間距，從而降低成本。

目前EMIB已演進(jìn)至多個(gè)版本：

  • EMIB-M：集成MIM（Metal Insulator Metal）電容，增強(qiáng)電源傳輸能力；
  • EMIB-T：加入TSV（硅通孔），實(shí)現(xiàn)從封裝底部直達(dá)上層芯片的垂直電源傳輸，降低噪聲，專門適配HBM等高端存儲(chǔ)；
  • EMIB 3.5D：結(jié)合Foveros 3D堆疊技術(shù)，混合架構(gòu)同時(shí)利用垂直堆疊和嵌入式橋接，解決熱翹曲和光罩尺寸限制。

（英特爾封裝技術(shù)進(jìn)化圖）

英特爾強(qiáng)調(diào)，EMIB的良率與同等復(fù)雜度的標(biāo)準(zhǔn)倒裝芯片球柵陣列（FCBGA）相當(dāng)，且支持英特爾自產(chǎn)及外部來源的硅片。

技術(shù)路線對(duì)比

臺(tái)積電目前提供三種CoWoS方案，與英特爾EMIB形成直接對(duì)比：

CoWoS-S采用完整單片硅中介層搭配TSV，僅需單步工藝，適用于對(duì)帶寬和延遲要求最高的場景。

CoWoS-L則以有機(jī)RDL基板取代全硅片，并在RDL層內(nèi)嵌入LSI局部硅橋，需要兩步貼合工藝，兼顧大面積與成本平衡。

CoWoS-R完全使用有機(jī)銅/聚合物RDL中介層，同樣為單步工藝，憑借機(jī)械靈活性優(yōu)勢，更適合大尺寸且追求低成本的芯片。

臺(tái)積電CoWoS-L雖然也采用局部硅橋設(shè)計(jì)，但仍依賴一層完整的RDL（重布線層）基板，制造工藝需要兩步貼合；相比之下，英特爾EMIB將硅橋直接嵌入有機(jī)基板，裸片直接坐在基板上，通過一步貼合完成連接，徹底省去中間層，在大尺寸封裝、成本敏感型應(yīng)用、異構(gòu)集成及熱阻控制方面更具優(yōu)勢。

從封裝規(guī)模看，CoWoS-S目前支持約3.3倍光罩面積，臺(tái)積電路線圖計(jì)劃2027年達(dá)到9.5倍；而英特爾EMIB當(dāng)前已支持超過8倍光罩面積，2028年目標(biāo)超過12倍，封裝尺寸可達(dá)120mm×180mm，可容納24組以上HBM堆疊和38個(gè)以上EMIB-T橋接連接。

不過，CoWoS-S在最高帶寬應(yīng)用場景下仍具不可替代性。全硅中介層提供的裸片間互連密度和延遲表現(xiàn)優(yōu)于EMIB的局部橋接方案，這正是英偉達(dá)旗艦訓(xùn)練級(jí)GPU持續(xù)采用CoWoS的原因。EMIB的優(yōu)勢在于封裝規(guī)模和成本效率，更適合谷歌、AWS等超大規(guī)模企業(yè)的定制ASIC和推理加速器。

先進(jìn)封裝雙雄格局初現(xiàn)

從市場格局看，臺(tái)積電仍是全球先進(jìn)封裝的絕對(duì)霸主。據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì)，臺(tái)積電在全球AI高端2.5D封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，英偉達(dá)H100/H200/B200全系目前主要由臺(tái)積電CoWoS供應(yīng)。

但英特爾的追趕勢頭不容忽視。據(jù)供應(yīng)鏈端反饋，英特爾EMIB-T平臺(tái)在2026年7月中旬良率已達(dá)到98%，與臺(tái)積電CoWoS處于同一水平。

英特爾CFO David Zinsner在近期投資者會(huì)議上表示，原本預(yù)計(jì)價(jià)值數(shù)億美元的封裝相關(guān)合同，有望增長至每年數(shù)億至數(shù)十億美元規(guī)模。

產(chǎn)能布局方面，英特爾在新墨西哥州Rio Rancho的Fab 9和Fab 11X已進(jìn)入3D先進(jìn)封裝量產(chǎn)，馬來西亞檳城封裝基地將于2026年晚些時(shí)候投入運(yùn)營；臺(tái)積電則計(jì)劃在美國建設(shè)先進(jìn)封裝設(shè)施，預(yù)計(jì)2027年底至2028年投入運(yùn)營。

TrendForce在2026年初的分析中指出，英特爾正加速投資先進(jìn)封裝產(chǎn)能以爭取云服務(wù)商ASIC訂單，但在良率和一站式解決方案上仍落后于臺(tái)積電。不過，強(qiáng)勁的AI需求正在擴(kuò)大整個(gè)市場，使雙方都有增長空間，而非零和博弈。

責(zé)編：Leon
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