來源:芯TIP
報告主題:寬帶隙集成趨勢和機遇
報告作者:Bernhard Wicht
報告內容包含:(具體內容詳見下方全部報告內容)
氮化鎵的單片集成
-電源+傳感+控制在一個單晶片上
-消除柵極回路的寄生因素
-跟蹤GaN柵極驅動電壓的PVT變化
-模擬特性(增益、匹配等)仍比硅差
Leibniz University Hannover, Germany