拜登政府宣布將在紐約州奧爾巴尼市投資8.25億美元，建造國家半導體技術中心（NSTC）的旗艦設施。美國商務部表示，紐約州奧爾巴尼的場地將專注于極紫外（EUV）光刻技術，
NSTC是美國首屈一指的研發中心，旨在促進半導體技術創新，培養熟練的勞動力以支持這些新發展，并與私營部門和學術界合作。
NSTC的第一座設施名為“CHIPS for America Extreme Ultraviolet (EUV) Accelerator”（美國《芯片法案》EUV加速器），將在奧爾巴尼納米技術綜合大樓內建成。該綜合大樓是一座高科技基地，面積超過165萬平方英尺，由非營利組織紐約研究中心、經濟發展、技術、工程和科學中心（NY CREATES）運營。顧名思義，該開發項目由《芯片法案》資助，這是美國過去28年來對其半導體行業最重要的投資。
美國商務部長雷蒙多表示：“憑借這一首個擬議的旗艦設施，美國《芯片法案》將為國家技術中心提供尖端研究和工具，它的啟動代表著確保美國在創新和半導體研發領域繼續保持全球領先地位的一個重要里程碑。”
EUV技術使公司能夠突破摩爾定律的界限，該定律指出集成芯片中的晶體管數量每兩年翻一番。由于最新的處理器已經在單個芯片上集成超過1000億個晶體管，業界需要進一步推動EUV光刻技術，以允許在相同的空間內裝入更多的晶體管。
目前，荷蘭的ASML是全球唯一一家生產最新一代芯片所需的High-NA EUV設備的公司。
據報道，三星電子正準備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）光刻機設備，這標志著這家韓國科技巨頭在先進半導體制造領域取得重大進步。這項由荷蘭ASML獨家提供的尖端技術對于2nm以下的工藝至關重要。韓國行業觀察人士預計，三星將加快其1nm芯片商業化的開發工作。
每臺High NA EUV光刻機售價約3.5億美元（約合人民幣25億元），遠高于ASML標準EUV系列的1.8億~2億美元。High NA系統具有8mm分辨率，晶體管密度是Low NA系統的三倍，因此具有巨大的價值。
