內存供應遭遇瓶頸期,倒逼英偉達在GPU的配置高低和出貨多少之間做出妥善平衡。

TrendForce集邦咨詢8月4日發布的研究報告指出,由于DRAM供不應求格局將延續至2027年,且原廠HBM4E的驗證進度存在變數,英偉達自2026年第三季度起已將Rubin Ultra的高帶寬內存配置評估范圍從原定的12-Hi HBM4E基準設計,擴展至8-Hi HBM4E、12-Hi HBM4及8-Hi HBM4等多種替代方案,最終規格尚未定案。

(TrendForce報道標題)

半導體研究機構SemiAnalysis進一步披露,英偉達向核心客戶預覽的主流Rubin Ultra SKU將維持峰值算力不變,但HBM配置已從Vera Rubin的12-Hi 288GB降至8-Hi 192GB,容量縮減約三分之一。

這意味著,被冠以“Ultra”之名的下一代平臺,在單卡內存容量上反而落后于其前代產品。英偉達官方尚未對這一消息予以確認。

容量縮減的技術權衡

要理解這一變化的嚴重性,需要先厘清HBM堆疊層數與容量之間的關系。HBM通過將多顆DRAM 裸片垂直堆疊并經由硅通孔互聯實現高帶寬與大容量。在同一HBM代際內,從12-Hi降至8-Hi意味著每顆堆疊的DRAM 裸片數量減少,單堆棧容量隨之下降約三分之一。以當前Vera Rubin搭載的HBM4為例,其12-Hi配置提供288GB總容量與約22TB/s的聚合帶寬;若Rubin Ultra采用8-Hi HBM4,總容量將降至192GB。

(英偉達Vera Rubin平臺架構圖)

不過,SemiAnalysis的分析指出,容量下降未必伴隨帶寬等比例下滑。由于Rubin Ultra的HBM堆棧數量仍為8顆,同代HBM4的接口位寬保持不變,英偉達可通過提升單引腳傳輸速率來實現帶寬的小幅增長,預計實際出貨帶寬將從約20TB/s提升至21TB/s。

真正懸而未決的是HBM代際選擇。TrendForce指出,HBM4E能否如期完成驗證與量產,將決定Rubin Ultra的I/O速度能否從前一代Rubin的8–11.7Gbps升級至14–16Gbps,抑或僅能借由HBM4設計優化改善至11–12Gbps。對于大型語言模型推理等帶寬敏感型工作負載而言,這一25%至35%的速度差距將直接轉化為吞吐量的差異。

供應瓶頸決定芯片規格

英偉達之所以在2026年第三季度突然擴大評估范圍,根源在于兩條相互交織的供應約束。

首先是DRAM整體的結構性短缺。HBM的生產需要消耗約3至4倍于標準DRAM的晶圓面積,而每片用于HBM的晶圓都意味著有3至4片晶圓無法用于生產常規DDR5。TrendForce預計,2027年HBM比特出貨量將同比增長50%至60%,但仍不足以滿足需求端的成長。在供不應求的格局下,HBM供應商將在2027年全年維持定價權,HBM單位價格大幅上漲已成為產業共識。

其次是HBM4E自身的驗證風險。12-Hi HBM4E需要將每顆DRAM 裸片減薄至約50微米,并在量產規模上實現可靠的硅通孔對準與研磨均勻性,良率挑戰極大。SK海力士雖于2026年6月確認已向主要客戶交付12層HBM4E樣品,但交付樣品與通過驗證、實現高良率量產是截然不同的成就。

更深層的原因還包括數據中心電力約束。SemiAnalysis指出,在電力缺口持續的背景下,Rubin Ultra規劃了多個功耗版本,其中1800W的Max-Q版本是每瓦FLOPs的最優解,降低功耗有利于降低部署門檻。

英偉達并非無牌可打

面對內存瓶頸,英偉達并非毫無應對之策。2026年7月25日,英偉達與SK集團宣布了一項超過5000億美元的戰略合作伙伴關系,涵蓋長期HBM4供應與下一代AI內存的共同開發,核心目的正是鎖定優先產能分配。

此外,從12-Hi降至8-Hi在配給經濟學上存在合理性:在同等DRAM晶圓產出下,每顆GPU所需的核心裸片數量從96顆降至64顆,理論上可多出貨約50%的GPU,同時8-Hi的堆疊良率也顯著高于12-Hi。

然而,這些措施無法從根本上解決產能缺口。新建晶圓廠的投產周期漫長:三星平澤P5超級工廠預計要到2028年后半才能進入量產,SK海力士的M15X facility 預計2027年中初步投產,而永寧Cluster 1則要等到2027年第二季度完工。

這意味著,即便現在追加投資,2027年的HBM供給格局也已基本定型。英偉達的選擇空間,實質上是在“少內存但多出貨”與“高規格但限量”之間做權衡。

內存廠商的機遇與隱憂

對三星、SK海力士與美光三大HBM供應商而言,Rubin Ultra的規格調整是一把雙刃劍。

一方面,若英偉達主流SKU從HBM4E退回HBM4,將直接壓低HBM4E在2027年HBM總需求中的占比。TrendForce此前預測HBM4E將占2027年HBM總需求的約40%,這一比例面臨下修風險,HBM4E的代際均價上漲節奏也將被推后。

另一方面,8-Hi方案意味著同等DRAM比特產出下,HBM堆棧出貨數量可增加約50%,基礎裸片需求同步增長,而更低的堆疊高度帶來更高的組裝良率。對供應商而言,這未必是收入損失,反而可能在出貨量提升與良率改善的疊加下實現毛利正貢獻。

更關鍵的是,無論英偉達選擇何種配置,2027年HBM市場的供不應求格局不會改變。SK海力士CEO郭魯正公開表示,2027年供應將是行業歷史上最緊張的;美光CEO Sanjay Mehrotra亦表示,供應緊張持續至2027年以后是公司的基準預期。

責編:Leon
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