FMS 2026上，三星公司首次公開了zHBM與zNAND-O概念模型，并推出業界首款層數超過400層的V10 BV-NAND……
當地時間8月4日，三星電子在美國圣克拉拉舉行的2026年未來存儲與內存大會（FMS 2026）上，一口氣扔出多顆足以改變游戲規則的"重磅炸彈"。公司首次公開了zHBM與zNAND-O概念模型，并推出業界首款層數超過400層的V10 BV-NAND，全面展示了其在AI時代的存儲創新實力。
zHBM：把HBM直接疊在AI加速器上，性能飆8倍
三星專為先進AI運算設計的zHBM，徹底顛覆了傳統HBM與處理器并排放置的設計思路，將HBM直接垂直堆疊在AI加速器上方，以進一步縮短數據傳輸距離。
據三星介紹，搭載下一代接口系統的zHBM預計性能可達到HBM5的約8倍。借助下一代晶圓鍵合技術，zHBM的內存密度超HBM5十倍以上，能效提升3倍，熱阻降低一半以上。zHBM還支持客戶定制化設計，允許在內存與AI加速器之間的中間層集成定制化IP，以擴展內存容量并提升加速器性能。
三星存儲事業部執行副總裁李鎮燁與副總裁金京輪在演講中指出，三星正通過新一代3D結構內存，在滿足高性能計算與AI基礎建設需求之余，實現AI系統性能與能效的最大化。
zNAND-O：邊緣AI的本地存儲利器
針對邊緣AI場景，三星推出了基于V-NAND技術的下一代高性能NAND解決方案zNAND-O，目前正開發4層與8層版本。
該方案結合高空間效率、提升的I/O性能與低延遲特性，專為支持實時、數據密集型AI應用的邊緣AI環境優化。通過提升本地存儲性能，該架構能夠支持實時應用，在這些應用中，數據并非總能傳輸到集中式數據中心進行處理。
V10 BV-NAND：400層以上，密度提升58%
在NAND閃存領域，三星發布了采用全新鍵合式V-NAND架構的V10 BV-NAND，堆疊層數超過400層，是三星迄今為止公開的V-NAND產品線中層數最高的。該產品通過晶圓鍵合技術堆疊存儲單元，內存密度較上一代V9提升約58%，同時在讀取、寫入及輸入輸出性能上均有顯著增強。
此次發布距離三星在2013年閃存峰會上推出業界首款V-NAND技術已過去13年。三星計劃將V10 BV-NAND應用于未來人工智能系統和其他數據密集型應用中的高容量、高性能存儲領域。
三星電子在FMS 2026上公開展示業界首款將400層以上垂直堆疊的第10代V-NAND閃存“V10 BV-NAND”
其他企業的進展
SK海力士375層NAND年底量產，HBM4已交付
在三星發布400層以上NAND的同時，其韓國競爭對手SK海力士也在加速3D存儲布局。據報道，SK海力士即將實現375層NAND的量產，該產品原計劃規劃為400層級，但由于超高層數帶來的制造難題，包括通道刻蝕等制造工序的復雜，最終將量產產品層數調整為375層。
在HBM領域，SK海力士同樣進展迅速。今年6月，SK海力士在HPED 2026展會上展示了16層48GB HBM4、12層36GB HBM4以及12層36GB HBM3E的實物產品。其256GB 3D堆疊式RDIMM產品采用TSV技術垂直連接DRAM芯片，是業界最大容量的服務器內存模塊。此外，SK海力士還展出了基于LPDDR的SOCAMM2 AI服務器內存模塊，以及通過HPE認證的數據中心級PS1010 E3.S eSSD。
值得注意的是，SK海力士與閃迪近期聯合發布了HBF（Hybrid Bonding Flash）首個標準規范，推動晶圓鍵合技術在NAND領域的標準化應用。
美光400層NAND預計2029年放量
美光在3D NAND領域的布局相對保守。據報道，美光預計2029年才會實現400層NAND的放量。不過，美光在HBM領域同樣積極，其HBM3E產品已獲得英偉達等頭部客戶的廣泛采用，并在2026財年第三季度實現了營收414.6億美元、毛利率84.9%的歷史新高。
鎧俠332層設計性價比更優，400層計劃推遲至2027-2028年
日本鎧俠（Kioxia）則選擇了不同的技術路線。鎧俠在投資日上表示，與400層以上方案相比，其332層設計在GB成本上低約23%，功耗效率優約10%，單元可靠性亦高出約35%，綜合效益更為突出。鎧俠計劃在2027到2028年實現350層到400層級別的NAND閃存。
長江存儲Xtacking架構的獨特優勢
中國廠商長江存儲由于Xtacking架構的獨特性，層數上與其他廠商產品難以量化對比。TechInsights的分析顯示，其最新的Xtacking 4.0產品已經達到業界標準的294層。對于未來400層以上的路線，理論上該架構有不小的優勢。
從堆層數到系統架構創新
三星此次發布被業界解讀為在內存產品性能競爭之外，拓展半導體系統結構設計業務范圍的重要信號。隨著AI加速器與內存結合的加強，代工、邏輯設計和先進封裝能力在市場競爭中的影響也將日益增加。三星計劃利用其在內存、系統半導體設計、代工和封裝方面的綜合業務結構，從產品設計階段到量產全程支持客戶。
分析人士指出，400層往后，NAND的量產難度驟然飆升，從過去的單純制造問題，延伸到材料、結構、良率、速度與架構的多維約束。未來存儲競爭的方向，或許不再僅僅是堆疊層數的比拼，而是系統架構創新的較量。
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