值此新春佳節(jié)來臨之際,《電子工程專輯》給大家拜年了,祝大家在新的一年里身體健康,萬事如意!工作順利,財源滾滾!

尊敬的電子工程專輯粉絲們: 

靈蛇起舞迎新歲,彩鳳和鳴送福音!

值此新春佳節(jié)來臨之際,《電子工程專輯》給大家拜年了,祝大家在新的一年里身體健康,萬事如意!工作順利,財源滾滾!

雖然2024年的電子產(chǎn)業(yè),并未如預(yù)期般出現(xiàn)全面復(fù)蘇,但從各行業(yè)協(xié)會和第三方分析機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)看,半導(dǎo)體市場相較2023年實現(xiàn)了同比兩位數(shù)的增長。這其中AI成為了最大的推動力,無論是將2024稱為“AI手機(jī)元年”、“AI PC元年”,還是各大巨頭對AI服務(wù)器、大算力HPC的投入力度,都讓這一鄰域一枝獨(dú)秀。

值得慶祝的是,中國2024年集成電路出口金額再次突破萬億元人民幣,產(chǎn)量再創(chuàng)歷史新高,同時依舊保持著市場規(guī)模最快增長率,占全球半導(dǎo)體市場份額近三成。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的大背景下,中國芯片設(shè)計的發(fā)展也重新回到高速發(fā)展軌道,截至2024年12月,全國共有芯片設(shè)計企業(yè)3600余家,國產(chǎn)化進(jìn)程不斷加快。

在過去的一年,《電子工程專輯》秉持以電子產(chǎn)業(yè)深度分析和設(shè)計策略為核心的內(nèi)容宗旨,致力于為中國的設(shè)計、研發(fā)、測試工程師及技術(shù)管理社群提供資訊服務(wù)。用線上研討會、直播,以及線下的國際集成電路展覽會暨研討會(IIC)等活動方式,給廣大讀者帶來一個學(xué)習(xí)和交流的平臺。

乙巳蛇年到來之際,我謹(jǐn)代表《電子工程專輯》全體同仁向始終陪伴我們成長的讀者朋友們表示感謝。我們從2024年最火爆的行業(yè)熱點(diǎn)中,篩選出了年度最熱文章TOP 25,與您一起回顧挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存的2024,祝愿大家在新的一年里靈蛇出洞,好運(yùn)亨通!

——《電子工程專輯》執(zhí)行主分析師 Luffy Liu

2024年度最熱文章TOP 25:

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此次爭議的焦點(diǎn)在于不同業(yè)務(wù)部門之間的獎金鴻溝,背后是三星電子內(nèi)部利潤結(jié)構(gòu)的極端分化。
這一專業(yè)排序的重新洗牌,被業(yè)內(nèi)視為中國產(chǎn)業(yè)升級從"互聯(lián)網(wǎng)+"轉(zhuǎn)向"硬科技+智能制造"的就業(yè)市場映射。
此次招聘中,一個名為"AI跨界技術(shù)人才"的特別崗位引發(fā)廣泛關(guān)注。該崗位面向"具備超乎常人的才能,并希望參與創(chuàng)造和構(gòu)建AGI"的候選人開放,不設(shè)專業(yè)背景限制。
這場舉報的直接導(dǎo)火索,是蘋果6月19日在巴西市場的一次重大政策調(diào)整……
“通用處理器”這一術(shù)語一直被廣泛用于描述可運(yùn)行各類軟件工作負(fù)載的CPU。在現(xiàn)代基于Arm架構(gòu)的系統(tǒng)級芯片(SoC)領(lǐng)域,這一稱謂仍被廣泛使用,但隨著系統(tǒng)復(fù)雜度不斷提升,我們有必要追問:這類器件在實際應(yīng)用中,究竟有多“通用”?
隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施分化為多層專用架構(gòu),CPU正成為智能體工作負(fù)載的編排層。
本屆WAIC期間,《2026全球AI商業(yè)落地價值洞察報告》重磅發(fā)布,并在大會的兩大高規(guī)格論壇上進(jìn)行了重點(diǎn)展示。作為大會最受關(guān)注的產(chǎn)業(yè)研究成果之一,這份報告以“從技術(shù)爆發(fā)到價值兌現(xiàn)”為主線,系統(tǒng)梳理了全球AI產(chǎn)業(yè)的競爭格局與商業(yè)落地路徑。 镕銘微電子憑借在VPU賽道上的開創(chuàng)性地位與規(guī)模化商業(yè)落地能力,成功入選該報告的兩大核心榜單,與全球及國內(nèi)頂尖科技企業(yè)同臺亮相。
NVIDIA?已驗證?ST?的?12?kW?電源傳輸概念驗證板,實際上已進(jìn)入生產(chǎn)測試階段。
一、完整型號分段邏輯(標(biāo)準(zhǔn)型號:TCC0603X5R226M100CT) 完整拆分:TCC + 0603 + X5R + 226 + M + 100 + C + T +特殊標(biāo)
作者簡介 PROFILE陳杰擼起袖子加油“GaN”氮化鎵晶體管內(nèi)部構(gòu)造簡介GaN 氮化鎵晶體管(HEMT)的基本結(jié)構(gòu)如下圖1所示,以 GaN/AlGaN 異質(zhì)結(jié)為主體,在AlGaN/ GaN
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